一种利用多晶材料制备单晶电容的方法
专利名称:
一种利用多晶材料制备单晶电容的方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2018104413590
第一发明人:
王超
其它发明人:
赵云驰;魏红祥;孙阳
申请日期:
专利授权日期:
2020-01-07
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: