一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法
专利名称:
一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2019101612205
第一发明人:
李娜
其它发明人:
张广宇;时东霞;杨蓉
申请日期:
专利授权日期:
2020-09-22
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: